YVO4(釩酸釔)
釩酸釔單晶是一種具有優(yōu)良物理光學(xué)性能的雙折射晶體材料。該晶體透光范圍寬(400~5000nm)、透過率高、雙折射系數(shù)大、莫氏硬度較大、不易潮解、易于加工。因此,釩酸釔晶體也被廣泛應(yīng)用于光纖通信、激光、閃爍體等領(lǐng)域。具體設(shè)備應(yīng)用有:光隔離器、環(huán)形器、光分束器、及格蘭系列偏光器等。
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YVO4(釩酸釔)
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產(chǎn)品描述
釩酸釔單晶是一種具有優(yōu)良物理光學(xué)性能的雙折射晶體材料。該晶體透光范圍寬(400~5000nm)、透過率高、雙折射系數(shù)大、莫氏硬度較大、不易潮解、易于加工。因此,釩酸釔晶體也被廣泛應(yīng)用于光纖通信、激光、閃爍體等領(lǐng)域。具體設(shè)備應(yīng)用有:光隔離器、環(huán)形器、光分束器、及格蘭系列偏光器等。
基本參數(shù) | |
項目 | 參數(shù) |
Nd摻雜濃度 | 0.1%-3% |
生長方向 | A切+/-0.5° |
尺寸/公差 | 長(+/-0.1)x寬(+/-0.1)x高(+0.5/-0.1)mm |
表面光潔度 | 10/5 (MIL-O-13830A) |
垂直度 | ≤5′ |
平行度 | ≤10″ |
平面度 | <λ/10@632.8nm |
倒角 | ≤0.2mmx45° |
鍍膜 | R<0.25%@1064nm &808nm |
損傷閾值 | ≥700MW/CM2,10ns,1Hz @ 1064nm |
Nd:YVO4物理化學(xué)特性 | |
化學(xué)式 | Nd3+:YVO4 |
晶體結(jié)構(gòu) | 四方,空間群D4h-I4/amd a=b=7.1193A, c=6.2892A |
晶格常數(shù)? | a = b = 7.12, c= 6.29 |
密度 g/cm3 | 4.22 |
莫氏硬度 | 4-5 接近玻璃 |
熔點(diǎn) , °C | 2105 |
折射率@1064 nm | no=1.9573; ne=2.1652 |
折射率@808 nm | no=1.9721; ne=2.1858 |
折射率@532 nm | no=2.0210; ne=2.2560 |
熱膨脹系數(shù) | αc= 11.37 x 10-6x °K-1 |
熱沖擊阻力@25°C, W/m-1x°K-1,c-axis | 5.1 |
發(fā)射波長 nm | 914, 1064, 1342 |
產(chǎn)品詢價
相關(guān)產(chǎn)品
技術(shù)參數(shù): 1、爐體:真空爐室尺寸Φ800*1200mm,雙層通水爐壁用ICr18Ni9Ti不銹鋼,爐門為側(cè)開門,爐門上設(shè)有通水石英觀察窗。 2、中頻電源:產(chǎn)品應(yīng)利用硅元件及IGBT模塊將工頻三相交流電源變換成單相中頻電源。感應(yīng)電源控制器使用不控整流技術(shù),具有高功率因素(>0.95),低電網(wǎng)污染,同時具有恒電流及恒功率二種控制方式,可始終保持控制器處于有效功率輸出模式,適用于需要頻繁起動或長時間運(yùn)行。人機(jī)控制界面應(yīng)具有通訊功能,RS-485連接方式,可通過通訊遠(yuǎn)程讀寫控制器內(nèi)參數(shù)和運(yùn)行狀態(tài)。