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激光晶體

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單晶生長爐

技術參數(shù)： 1、爐體：真空爐室尺寸Φ800*1200mm，雙層通水爐壁用ICr18Ni9Ti不銹鋼，爐門為側(cè)開門，爐門上設有通水石英觀察窗。 2、中頻電源：產(chǎn)品應利用硅元件及IGBT模塊將工頻三相交流電源變換成單相中頻電源。感應電源控制器使用不控整流技術，具有高功率因素（＞0.95），低電網(wǎng)污染，同時具有恒電流及恒功率二種控制方式，可始終保持控制器處于有效功率輸出模式，適用于需要頻繁起動或長時間運行。人機控制界面應具有通訊功能，RS-485連接方式，可通過通訊遠程讀寫控制器內(nèi)參數(shù)和運行狀態(tài)。

關鍵詞：

單晶生長爐

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產(chǎn)品咨詢：

產(chǎn)品描述

技術參數(shù)：

1、爐體：真空爐室尺寸Φ800*1200mm，雙層通水爐壁用ICr18Ni9Ti不銹鋼，爐門為側(cè)開門，爐門上設有通水石英觀察窗。

2、中頻電源：產(chǎn)品應利用硅元件及IGBT模塊將工頻三相交流電源變換成單相中頻電源。感應電源控制器使用不控整流技術，具有高功率因素（＞0.95），低電網(wǎng)污染，同時具有恒電流及恒功率二種控制方式，可始終保持控制器處于有效功率輸出模式，適用于需要頻繁起動或長時間運行。人機控制界面應具有通訊功能，RS-485連接方式，可通過通訊遠程讀寫控制器內(nèi)參數(shù)和運行狀態(tài)。

　　1)中頻功率：80kw

　　2)頻率：2.5-8KHz（可選）

　　3)功率因數(shù)：>0.9

　　4)電源轉(zhuǎn)換效率:>70-95%(中頻電源在使用過程中隨溫度變化即功率和轉(zhuǎn)換效率隨之變化)

　　5)功率穩(wěn)定精度：<0.2%

3、真空系統(tǒng)：

　　1)要求配備機械泵2X-8。

　　2)真空度：（冷態(tài)空載）≤5Pa(數(shù)顯真空計)

　　3)進氣流量：1~10L/min(可選配質(zhì)量流量計)

　　4)微正壓恒壓自動控制:≤0~0.04Mpa

4、加熱系統(tǒng)：需要中頻感應加熱，工作溫度:100℃～2000℃，工作電源：AC380V/50HZ，測溫方式:B型熱電偶:

　　1)≤1200℃時功率控制

　　2)≥1200℃時溫度控制

5、控溫方式：需使用液晶觸摸屏顯示，設置更快捷,設備運行狀態(tài)更直觀，設定數(shù)據(jù)和操作都是圖文界面，操作方便；針對數(shù)據(jù)的存儲、輸出，可通過USB接口復制數(shù)據(jù)到計算機上長期保存，能存儲多條程序。50段編程式控溫曲線，無需值守（全自動升溫、恒溫、降溫）。

產(chǎn)品詢價